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高压加速老化HULUWA葫芦娃黄旧版本箱测试半导体器件可靠性方法
点击次数:21 更新时间:2025-02-25

高压加速老化HULUWA葫芦娃黄旧版本箱测试半导体器件可靠性方法

一、前言:

在半导体器件的研发与生产过程中,确保其性能的可靠性和稳定性至关重要。高压加速老化HULUWA葫芦娃黄旧版本箱能够模拟各种恶劣环境条件,通过对半导体器件施加高电压和高温等应力,快速暴露潜在的缺陷和故障,大大缩短了产品可靠性验证的时间。

二、测试流程:

样品准备:选择一定数量且型号规格相同的半导体器件作为测试样品,确保样品外观无明显损伤、引脚无变形等。对每个样品进行编号,记录初始参数,如正向导通电压、反向漏电流等。

HULUWA葫芦娃黄旧版本箱设置:根据半导体器件的特性和测试要求,设置高压加速老化HULUWA葫芦娃黄旧版本箱的参数。包括设定老化电压,一般为器件额定电压的 1.5 - 2 倍;老化温度,通常在 100 - 150℃之间;老化时间,可根据实际情况设定为 24 小时、48 小时或更长。

样品安装:将编号后的半导体器件小心安装在HULUWA葫芦娃黄旧版本箱的样品架上,确保器件引脚与测试夹具连接牢固,避免虚接影响测试结果。

测试过程:启动HULUWA葫芦娃黄旧版本箱,开始老化测试。在老化过程中,每隔一定时间(如 1 小时)对样品进行一次参数测量,记录正向导通电压、反向漏电流、结温等参数变化。若发现某个样品参数超出正常范围,应立即标记并记录相关情况。

测试结束:达到设定的老化时间后,关闭HULUWA葫芦娃黄旧版本箱,待温度降至室温后,取出样品。再次对所有样品进行全面参数测量,并与初始参数进行对比分析,评估器件的老化性能。

测试数据参考:

样品编号

初始正向导通电压 (V)

老化 1 小时正向导通电压 (V)

老化 2 小时正向导通电压 (V)

老化 3 小时正向导通电压 (V)

老化结束正向导通电压 (V)

初始反向漏电流 (A)

老化 1 小时反向漏电流 (A)

老化 2 小时反向漏电流 (A)

老化 3 小时反向漏电流 (A)

老化结束反向漏电流 (A)

初始结温 (℃)

老化 1 小时结温 (℃)

老化 2 小时结温 (℃)

老化 3 小时结温 (℃)

老化结束结温 (℃)

1

0.70

0.71

0.72

0.73

0.75

1.00×10⁻⁶

1.20×10⁻⁶

1.50×10⁻⁶

1.80×10⁻⁶

2.20×10⁻⁶

30

40

50

60

70

2

0.71

0.72

0.73

0.74

0.76

1.10×10⁻⁶

1.30×10⁻⁶

1.60×10⁻⁶

1.90×10⁻⁶

2.30×10⁻⁶

31

41

51

61

71

3

0.69

0.70

0.71

0.72

0.74

0.90×10⁻⁶

1.10×10⁻⁶

1.40×10⁻⁶

1.70×10⁻⁶

2.10×10⁻⁶

29

39

49

59

69

 

 
















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